化学气相沉积(chemical vapour deposition CVD):通过气相进行的化学反应制取金属及金属化合物的特殊制品和提纯金属或金属化合物的方法。由于化学气相沉积法的英文缩写词为CVD，故又称为CVD法。所生产的特殊制品有涂层、球形粉末和异形体等。

一种高熔点金属的气态化合物和还原气体在气相中直接发生还原反应时，所得的高熔点金属便会聚集成金属粉末。而还原反应在加热至一定温度的基底上进行时，反应产生的金属便可在基底上形成金属涂层或按基底形状的不同形成具有一定形状的金属制品。此外，利用碘化物热离解反应(见碘化物热离解法)、羰基化合物热离解反应(见羰基法)，歧化反应(见歧化冶金)都可实现化学气相沉积。例如，通过化学气相沉积法生产钨的特殊制品时，可以利用以下三种反应中的一类：(1)钨卤化物的氢还原，如WX6+3H2=W+6HX，式中的X为一种卤素；(2)钨的羰基化合物的热分解，如W(CO)6=W+6CO；(3)钨卤化毫的热分解，如WX6=W+3X2。

在19世纪末，人们就利用化学气相沉积法来生产金属。1891～1892年英国学者蒙格(mong)就通过分解气体Ni(CO)4制取高纯镍，1893年罗古京(logugin)利用气体WCI6与H2在加热的石墨棒上反应在石墨表面上镀上一层钨层。1915～1925年范阿克尔一德博尔(VanArkel—deBaer)利用碘化物热离解反应提纯锆、铪、钛、铌、钽等高熔点金属。由于氟化钨的氢还原法具有反应温度低、易于找到适合结构材料的特点，而为人们所广泛研究。1964年氟化物氢还原法被用来生产钼、钽等高熔点金属及其合金的特种材料。

CVD法主要应用于

(1)制取有一定形状和粒度分布的金属粉末，如超细钨粉、球形钨粉等；

(2)制取金属镀层和特殊部件，目前利用WF6与H2的还原反应，控制适当条件可制得x射线管的钨电极、气体灯管的有活性添加剂的钨阴极，以及用传统加工方法所无法制取的某些钨零件，如超细钨管、异形件等；

(3)制取各种涂层(包括硬质合金涂层)，如通过TiCl4与CH4或NH3的反应可在硬质合金制品上形成TiC或TiN的涂层，利用TiCl4与Pb和O2反应在基底上形成强介电性的PbTiO3薄膜等；

(4)在半导体材料工业中用来制取气相外延硅单晶和制取GaAs单晶等。