二次再结晶(secondary recrystallization)

又称二次重结晶、异常晶粒长大，或不连续长大。是指少数大晶粒在小晶粒消耗时成核长大的过程。因为晶粒大于6条边界时边界向内凹，而晶粒小于6条边界时边界向外凸。凸面的界面能大于凹面的界面能，因此晶界向凸面曲率中心移动，结果小于6条边的小晶粒缩小，甚至消灭，而大于6条边的大晶粒异常长大。

当正常的晶粒生长由于夹杂物或细孔等的阻碍作用而停止以后，如果在均匀基相中有若干大晶粒，其晶粒边界比邻近晶粒的边界多得多，晶界曲率也较大，大晶粒的界面能较小晶粒低，在界面能驱动下，大晶粒晶界就可以越过气孔或夹杂物而进一步向邻近曲率半径小的小晶粒中心推进，而使大晶粒成为二次再结晶的核心，不断吞并周围小晶粒而迅速长大，直至与邻近大晶粒接触为止。

晶粒二次再结晶生长时，气孔都维持在晶界上或晶界交汇处；即二次再结晶时气孔常被包裹到晶粒内部。

为了得到致密的烧结料，制止二次再结晶是重要的。引入适当添加剂能制止或减慢晶界的迁移，从而使气孔排除，甚至可制得完全无气孔的多晶材料。