引线框架用合金(lead   frame   alloy)

用于固定集成电路硅芯片的封接合金。其作用是使芯片端头与外部电路连接起来，并将热量散发出去。

简史    20世纪60年代，集成电路采用陶瓷作为外围构件，保护它免受外部环境的影响，当时选用了线膨胀系数与硅芯片、陶瓷接近的FeNi29Co18合金(可伐合金)。70年代，通过封装工艺的改进，成功地以FeNi42合金取代可伐合金，降低了成本。与此同时，出现了塑料封装的集成电路，相应地以铜合金作为引线框架。

性能    线膨胀系数与硅、陶瓷或塑料接近，具有良好的强度、延伸率、抗折强度、导热性、导电性、电镀性能及钎焊性能。

生产工艺    通常采用真空感应炉熔炼，或是电弧炉熔炼后再进行炉外精炼。钢锭需进行局部清理，去除表面缺陷。热轧坯需全面刨磨，消除所有缺陷。带材分条后应进行拉矫退火(500℃以下)，使内应力分布均匀，保证板形平整，制成引线框架后具有良好的共面性。

发展动向    引线框架合金包括两大类：一为高强度铜合金，二为FeNi42合金，前者用量多于后者。随着集成电路向高集成度和多功能化发展，要求引线框架合金薄型化。过去厚度大部分是0.25mm，现采用0.15mm和0.125mm厚度的日益增多，而且0.08mm也已提到使用日程。可采用铌、铍等添加元素，使抗拉强度提高到900MPa。一些要求高可靠性的集成电路，需要引线框架合金的线膨胀系数与硅芯片匹配，于是以因瓦合金为基体金属，两面覆上铜，只要控制好基体和覆层的厚度比，即可得到接近硅芯片的线膨胀系数。一般民用集成电路的发展方向是降低成本，因而开发了一系列廉价的铁基引线框架合金。日本已开发了NAS410IC，就是在铁素体不锈钢410的基础上，降低钢中碳、氮含量，添加微量铜等元素，并严格控制非金属夹杂物，使钢带表面形成的氧化膜很薄，腐蚀电动势很低，表面很容易活化，便于电镀。这种合金的平均线膨胀系数(30～100℃)为8×10^-6／℃，抗拉强度为700MPa，伸长率为9％，硬度HV=220。此外，日本冶金、新日铁等公司为了进一步降低价格，将410不锈钢的铬含量降到7％，而性能与NAS410IC相近。