半导体晶片腐蚀(semiconductor wafer etching)  

晶片在研磨加工后，利用酸或碱与晶片发生非选择性化学反应，去除晶片表面因研磨加工所造成的机械损伤层的半导体晶片加工工序。

以硅单晶片的化学腐蚀处理过程为例。在通常条件下，硅与硝酸、氢氟酸单独不发生化学反应。但硅与硝酸和氢氟酸的混合液能发生下列化学反应：

这种酸性腐蚀反应速度快，腐蚀后晶片表面光亮，但几何尺寸精度较差，而且废气和废水对环境会造成严重污染。

硅在常温下也可与碱(苛性钠、苛性钾)溶液发生化学反应：

碱性腐蚀反应速度较慢，易于控制，废液易于处理，对环境污染较轻。但腐蚀后晶片表面光亮度较差。化学腐蚀也用于晶片清洗中，晶片在每一步加工后都要进行清洁处理，以去除上道工序中所玷污的外来物和晶体粉末。在晶片切割和研磨后，一般采用化学腐蚀或化学腐蚀和机械擦拭相结合的方法来除去晶片表面的玷污物。

抛光后的硅片，通常利用浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，以强氧化反应除去晶片表面的有机物和金属杂质。随后用氢氟酸去除硅片表面的氧化硅膜。用氨水、过氧化氢和水的混合液可有效地除去晶片表面的微量有机物和金属杂质玷污，此种混合液对于除去表面的颗粒比较有效。盐酸、过氧化氢和水的混合液也被用来除去金属杂质的玷污。晶片经过化学腐蚀后，最终用去离子水冲洗就能获得洁净的晶片表面。