布里支曼法单晶生长 (crystals  growth  by  Bridgman  metthod) 

半导体晶体生长的主要方法之一。1925年美国的布里支曼(Bridgman)发明了这种生长单晶的方法，称为布里支曼法。经完善后用来生长Ⅱ一Ⅵ族化合物晶体和砷化镓单晶，已成为生产砷化镓单晶的主要方法。

布里支曼法实际是定向结晶法，即在特定温度场的条件下，使材料保持全熔状态，从熔体的一端到另一端缓慢降温而结晶。布里支曼法用以下几种方式来完成单晶生长：(1)盛晶体的容器不动，而整个加热炉移动，这样靠结晶部位的温度移动而生成单晶。(2)加热炉不动，而盛晶体的容器移动，使熔体缓慢地经过特定的温度梯度部位而生成单晶。(3)加热炉与盛晶体容器均不移动，而采用降温的方法使温度场变化而生长成单晶，此种方法称为梯度凝固法。

水平布里支曼法(HB)  HB法主要用来生长砷化镓单晶，亦用来生长砷化铟、锑化铟及锑化镓等单晶。HB炉分为两温区炉(2T-HB)、三温区炉(3T-HB)和梯度凝固炉(HGF)。

2T-HB炉是HB法生长砷化镓单晶典型的方法。而3T-HB是生长砷化镓单晶较为理想的方法，在高低温之间增加了一段中温区，这样生长界面附近的温度梯度小，有利于单晶生长又能改善晶体的完整性。研究结果表明，中温区的存在能抑制镓和石英的反应，减少硅的污染。

HB炉要求稳定的温度控制，现已发展到带有程序的温控系统，并由计算机来控制若干台HB炉。

HB法设备简单，可用来生长各种规格的砷化镓单晶。单晶的完整性好，晶片的形状一般为D形，可加工成所需要的矩形和圆形。已能生产φ50mm、φ76mm的标准圆片，并已研制出φ100mm的晶片。

垂直布里支曼法(VB)  VB法一般用来生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体，如(CdSe、CdTe等，其生长速度很慢。对于ZnS、ZnSe、CdS和ZnTe等晶体，由于它们的饱和蒸汽压很高，难以用此种方法来完成。又发展了高压布里支曼法来制备这类晶体。

近年来的发展认为：VB法(包括垂直梯度凝固法VGF)是很有前途的生长GaAs单晶的一种方法。它具有水平法和液封直拉法的优点，可直接生长出完整性好的圆形GaAs单晶。VB法用于GaAs的研究已有十多年的历史，取得较大进展。已生长出φ50mm、φ76mm、φ100mm的半绝缘及掺硅n型、掺锌p型的GaAs单晶，其性能优良。垂直法有可能取代水平法和液封直拉法来生产GaAs单晶。