其他百科 分类下的词条
7月31日
·1886年，匈牙利钢琴演奏家、作曲家李斯特逝世·1906年，沙皇下令解散杜马·1963年，非洲发展银行决定成立·1971年，人类首次月球车行驶·1985年，第一届十六岁以下世界足球赛在中国举行·1991年，美苏达成削减...
114字 2009-07-28
7月30日
·1863年，工业之父亨利·福特诞辰·1905年，同盟会筹备会议召开·1923年，中国自行设计生产首架飞机成功·1972年，马王堆汉墓女尸出土·1984年，许海峰为我国赢得第一枚奥运金牌·2003年，国务院第１６次常务会...
121字 2009-07-28
7月29日
·1836年，法国巴黎凯旋门建成·1856年，德国作曲家舒曼逝世·1946年，巴黎和会召开·1983年，长江葛洲坝二江水电站建成·1984年，许海峰夺得中国历史上第一枚奥运会金牌·2007年，伊拉克夺得第14届亚洲杯冠军
...
112字 2009-07-28
岩层与地表移动
yanceng yu dibiao yidong
岩层与地表移动
surface and ground movement
地下开采引起围岩的位移和变形。随着采空区的扩大，顶板岩层发生弯曲、离层、断裂和冒落。冒落岩石上方的岩层随破碎冒落岩石的压...
2500字 2009-07-21
擎灯的吉祥天女拉克希米
擎灯的吉祥天女拉克希米
擎灯的吉祥天女拉克希米，属于古印度文明，产于印度，古吉拉特邦，约18世纪
铜合金，高46×宽229×厚114厘米
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688字 2009-07-21
磁滞
磁滞(magnetichysteresis)在非理想第Ⅱ类超导体中，磁通线“进入”超导体或从超导体体内“排出”受到磁通钉扎中心的“阻碍”，致使超导体体内的磁通线数目变化落后于外磁场的变化...
289字 2009-07-21
磁通捕获
磁通捕获(trappedflux)对于非理想第Ⅱ类超导体，当外磁场Ha升到高于Hcl时，超导体进入混合态，磁通线进入到大块超导体中，当去掉外磁场后超导体仍残留有一定量的磁通的现象。磁通捕获起因于存在于非理想第Ⅱ类超...
187字 2009-07-21
超导材料在大型装置中的应用
超导材料在大型装置中的应用 (aPPlication of superconductor in large-scale devices)
和常规磁体相比，超导磁体既节能又适于在大空间产生较高的磁场，因此在高能物理、受控热核聚变、磁流体发电与推进、磁浮...
2369字 2009-07-21
光致发光测量
光致发光测量 (photoluminescence measurement)
用一定能量的光子激发半导体材料，由其产生的特征发光谱线来分析半导体材料性能的一种光学半导体材料测量方法。具体而言，对于一种半导体材料，当用能量大于其禁...
1478字 2009-07-21
物理气相外延
物理气相外延(playsical vapor epitaxy，PVE)
在真空中利用气态原子进行金属、半导体薄膜材料制备的一种方法。在真空条件下加热(或溅射)膜材。形成膜材原子(或分子)束，沉积到单晶基底上，沉积膜的结晶取向与基...
778字 2009-07-21
信息检索系统
信息检索系统（Information Retrieval System,简称IRS）
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什么是信息检索系统
信息检索系统...
795字 2009-07-21
资源学派
资源学派（Resource Shool）——竞争战略的综合理论分析框架
资源学派简介
资源学派是竞争战略的综合理论分析框架，其某些理论观点在20世纪80年代中期就出现，以沃纳菲尔特（BWernerfelt）、...
3459字 2009-07-21
温度制度
温度制度 (temperature schedule)
对热轧和温轧中各工序开始或终了时轧件温度的具体规定，也叫温度规程。锭坯加热和初轧时的温度制度见加热制度、钢锭加热和初轧温度规程。轧件轧制过程中需控制的温度有开轧温度...
967字 2009-07-21
半导体材料测量
半导体材料测量(measurement for semiconductor material)
用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。在半导体半barl材料制备过程中，...
7624字 2009-07-21
半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量(electric parameter measurement for semiconductor material)
电学参数是半导体材料钡0量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。
导电类型测量 半导体的导电过...
2123字 2009-07-21
半导体材料红外测量
半导体材料红外测量(infrared measurement for semiconductor)
利用红外光谱的方法测量半导体性能，是半导体材料测量的主要内容之一。红外光谱可分为近红外(078～2μm)、中红外(2～25μm)和远红外(25～300&m...
1199字 2009-07-21
半导体薄膜材料制备
半导体薄膜材料制备(preparation of semiconductor thin fiIm)
在衬底材料上生长半导体薄膜，是半导体材料制备的重要方法。所用的衬底可以是半导体材料，也可以是非半导体材料；衬底与薄膜可以是单晶、多晶或非...
1115字 2009-07-21
半导体材料晶体结构
半导体材料晶体结构(crystal structure of semiconductor)
决定半导体材料的基本物理特性，即原子或离子的长程有序的周期性排列。按空间点阵学说，晶体的内在结构可概括为一些相同点在空间有规则地作周期性的无...
2712字 2009-07-21
半导体晶体缺陷
半导体晶体缺陷(crystal defect of semiconductor)
半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原...
3146字 2009-07-21
区域匀平法锗单晶
区域匀平法锗单晶(zone1evelinggemaniumsingle crystal)
用水平区熔法生长的锗单晶是一种半导体锗材料。在充氮和氢混合气体的水平区熔炉中，以高频感应加热，在料舟始端的籽晶与多晶料锭处产生一熔区，待掺杂的...
368字 2009-07-21
下载服务协议钢信通
用钢信通，增加7倍商机
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