高纯铟(high purity indium)

纯度在99.999％以上的金属铟。有99.999％(5N)和99.9999％(6N)两种规格，它们的杂质含量上限如表。

高纯铟主要用于制备Ⅲ一V族化合物半导体。铟与元素周期表V族元素的磷、锑和砷之间形成的金属间化合物在电子工业中用途广泛。如磷化铟和镓铟砷锑是制造光纤通讯中的发射与接收元件的材料，锑化铟是3～5μm波段广泛使用的红外探测器材料，成本低的CuInSe₂薄膜被认为是薄膜电池的最佳材料，InBO₃萤光体材料用途不断扩大等。高纯铟还用于制作ITO(透明电极)。

生产高纯铟的主要原料是4N粗铟，多采用化学提纯和物理提纯相结合的联合提纯工艺。化学提纯主要有化学清洗、电解精炼、溶剂草取和离子交换等，物理提纯则有真空蒸馏(见真空精炼)、真空溅射、区域熔炼及定向凝固等。定向凝固是把欲提纯的金属铟放在容器内全部熔化后，令其从一端向另一端逐渐冷凝，使杂质富集端部而得到提纯的方法。中国普遍采用真空蒸馏一电解精炼一拉单晶工艺制得6～7N高纯铟(见高纯铟的制备工艺流程图)。拉单晶是用籽晶或自生籽晶从1989年以来，世界每年消耗铟量达110～130t，其中用于半导体和荧光体的占铟总耗量的8％左右，用作ITO的铟量占铟总耗量的45％～34％。美国由1989年用作ITO的铟量占其铟总耗量的35％增至1992年的45％，可见高纯铟的用量不断增加。