高纯镓(high purity gallium)

纯度在99.999％(5N)以上的金属镓。有99.999％(5N)、99.9999％(6N)、99.99999％(7N)等几种规格。

工业上用的是6N和7N高纯镓，其杂质含量标准如表。由于高纯镓主要用作半导体材料，故对其中的受主杂质如锌和施主杂质如碲和硒的含量要求十分严格。所谓受主杂质是指接受电子产生导电空穴，并形成负电中心的物质。施主杂质是指施放电子产生导电电子，并形成正电中心的物质。

目前世界上常用的高纯镓生产方法是用4N镓作原料，经化学清洗后，进行电解精炼得5～6N镓，再经真空蒸馏(见真空精炼)或拉单晶制得7N或7N以上的高纯镓。拉单晶是用籽晶或自生籽晶从镓熔体中拉制出单晶，使金属镓得到提纯的方法。

高纯镓主要用作化合物半导体，如二元化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaF，)，三元化合物半导体镓砷磷(GaAsP)、镓铝砷(GaAlAs)、镓铟砷(GaInAs)及四元化合物半导体镓铟砷锑(GainAsSb)等。这些镓化合物半导体是光电技术、电子计算机等高技术领域中的重要基础材料，广泛用于制造发光二极管、激光二极管、光电探测器、太阳能电池、微波器件及超大规模集成电路等。