光化学气相沉积      (photochemical vapour deposition, photo-CVD)

一种半导体薄膜材料制备技术。光化学气相沉积又称光辅助化学气相沉积或光激化学气相沉积，简称光CVD(photo—CVD)。光CVD是用光能激发反应气体，使其分解，在基片上淀积成膜。与热CVD相比，光CVD的成膜温度较低(常温≈400℃)。由于光能一般不会使反应气体电离，淀积室内没有带电粒子，也没有电极和电场，因此，不会因有带电粒子对基片的轰击而导致薄膜的损伤，从而有利于制备优质薄膜和器件。这是光CVD区别于等离子增强CVD的主要特点之一。

光CVD过程中，光激发反应有两种方式。一种是选择能被反应气体吸收的波长光来照射气体，使气体直接激发；一种是使用增敏性物质，使反应气体间接激发。光CVD光源可用准分子激光器、Ar⁺激光器、CO₂激光器或紫外光源等。最常用的紫外光源为低压汞灯，其光波长为184.7和253.7nm。对于吸收波长低于184.9nm紫外光才能分解的气体，光CVD必须借助增敏性物质的作用。常用的增敏性物质为汞。汞原子易被紫外光激励为激活态，并将能量传递给反应气体，使其分解。

光CVD已用于半导体器件的绝缘膜、钝化等多种薄膜的成膜工艺。制备氧化硅膜时，在SiH₄-O₂反应系中，使用汞增敏，用253.7nm紫外光照射时，可在100℃左右的低温成膜。用SiH₄和NH₃制备SiN₄薄膜时，使用汞增敏，可在200℃左右成膜。光CVD还被用于分解有机金属化合物以淀积金属膜。80年代以后，光CVD被用于非晶硅薄膜及其太阳电池的制备。在光CVD淀积非晶硅时，可用SiH₄或Si₂H₆作为反应气体。使用SiH₄气体时，须用汞增敏，用Si₂H₆气体时，可不用汞增敏