V族化合物半导体材料(Ⅲ一v compound semicondutor material)

由元素周期表中的ⅢA族与VA族构成的化合物半导体材料。它是重要的半导体材料，在其产量及应用范围等方面，在化合物半导体材料中占首位。

20世纪20年代开始合成Ⅲ一V族化合物，在1952年德国人韦尔克(H．Welker)系统地研究了该族化合物，指出了它们的半导体性质，随后发展很快。在工艺上已能制备出直径大的砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟、锑化铟、锑化镓的单晶，其中砷化镓单晶直径已达φ150mm。用外延法已制出各种Ⅲ一V族化合物及其固溶体薄膜，并对其性质与应用进行了深入地研究。表中示出了Ⅲ一V族化合物的主要性质。

由表中可以看出一些化合物特点是具有直接带隙，一些化合物具有高的迁移率。如图示出主要Ⅲ一V族化合物的带隙、晶格常数与发射波长之间的关系，从一个方面说明了应用可选择的范围。Ⅲ一V族化合物半导体的主要应用领域为超高速器件、光电子器件。

Ⅲ一V族化合物的性质