液相外延(liquid   phase   epitsxy)

一种半导体薄膜材料制备方法。是在饱和溶液中的单晶衬底上外延生长单晶薄层的方法，简称LPE法。生长晶体的驱动力是溶液的过饱和度。当衬底与溶液接触时，若溶液处于过饱和状态则会有溶质从溶液中析出。条件适宜时，析出的溶质就会在衬底上生长出外延层。使溶液形成过饱和的方法很多，在化合物半导体液相外延工艺中常用降温(瞬态生长)或形成温差(稳态生长)来实现溶液过饱和。瞬态生长又分为平衡冷却、过冷、步冷和两相溶液冷却法，依据溶液与衬底接触形式不同，液相外延生长又可分为倾斜舟法、滑动舟法、浸渍法、滚动法等。

液相外延的优点是：(1)生长设备比较简单；(2)有较高的生长速率；(3)外延层的掺杂剂选择范围广；(4)操作方便、安全；(5)能较精确控制外延层组分和生长较厚的外延层；(6)外延层的位错密度较衬底低。

液相外延已广泛用于生长高质量的Ⅲ一V族化合物及其多元固溶体。许多微波、激光、发光、太阳能电液ye池、霍尔器件等所需材料均可采用LPE方法制备。液相外延层表面形貌一般不如气相外延好。