气相掺杂(doping in vapor phase growth)

一种半导体材料掺杂方法。半导体电学性质对几乎所有杂质都非常敏感，因此掺杂浓度的控制是非常重要的。在气相外延中要掺入的掺杂剂通常以化合物形式按一定量加入到气态反应混合物中，可使外延膜获得合适的电学性能。在气相外延中这称为有意掺杂。由于大多数外延生长都需要高温，而且反应物气体或载气对反应器材质及衬底支托材料有腐蚀作用，从而在反应气氛中引入不可控杂质，再掺入到外延膜中。即便是有意掺杂，在一次实验后，沉积在系统内暴露部件上的掺杂剂在下次实验中还会蒸发出来进入气相，也变成不可控掺杂。在异质外延时衬底可能与气态反应物相互作用，把它自身组分释放到气相中，以杂质形式再掺入到外延膜内，即使在同质外延中，衬底内的掺杂剂在加工时也会扩散进入外延膜中或蒸发后进入外延膜中产生自掺杂。

在气相外延中因为存在着多种杂质来源，最大限度地降低不可控杂质的引入和自掺杂，并控制有意识掺杂的杂质量，是提高外延质量极为重要的问题，这就需要根据所生长材料的种类选择加热方式、系统内材质、反应气体及载气等。