锑化铟(indium antimonide)

由铟和锑构成的重要的Ⅲ-V族化合物半导体材料。由于其熔点低、熔点时的离解压小(见表)，早在50年代就已制备出单晶体。

性质    InSb的主要物理性质见表。

单晶生长方法    采用直拉法制备单晶，所用原料InSb经区熔法提纯，InSb中除碲的有效分凝系数接近于1外，其他有害杂质的有效分凝系数都小于或大于1，经多次区熔可有效提高其纯度。CZ生长基本工艺为：熔体保持在高纯氢或含高纯H₂10％～20％的高纯氮中于800℃左右恒温0.5h，可有效除去熔体表面浮渣，沿<111>方向生长有明显的小面效应，使径向载流子分布很不均匀，沿<100>、<115>、<113>等晶向生长可消除这一效应。InSb中除D坑外还观察到S坑(碟形坑)和P坑(puching—out)，采用等电子掺杂(如N掺杂)可以降低这些缺陷密度。

应用    InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。另外在电荷注入器件方面，InSb器件的位数已达128×128阵列。3～5μm波段InSb光伏探测器作为敏感元件组成的混成焦平面阵列也得到很大发展，并已作成元数较多的两维阵列。