锑化镓(gallium antimonide)

由镓和锑构成的Ⅲ-v族化合物半导体材料。由于它在熔点时离解压小(见表)，早在20世纪50年代即可由化学计量熔体中生长出单晶体。

性质   GaSb的主要物理性质如表

单晶生长方法    单晶生长采用熔体生长法。GaSb熔体表面极易氧化而产生浮渣(主要成分是Ga₂O₃)，妨碍引晶和单晶生长。在研究工作中，采用双坩埚或高纯氢还原法在直拉炉中进行单晶生长。1980年日本学者Shintaro Miyazawa等提出用NaCl-KCl(1：1原子比)的混合物为覆盖剂的LEC工艺拉制GaSb单晶。沿(111)方向生长易出现小面效应，而沿(100)方向生长时往往在(110)和(110^¯)方向生长速率不同，导致生长各向异性而出现孪生，在富锑熔体中生长是减少孪生的重要措施之一。非掺杂GaSb单晶总是p型的，其空穴浓度约为1×10¹⁷／cm³。p型导电是由于晶格缺陷(例如空位或反位缺陷)引起的，属于非杂质导电。

应用GaSb是制备2～5μm波段半导体光电器件的衬底材料，这些器件在红外成像和制导、遥感、红外分析、抗辐射、氟化物光纤通信和传感等领域有重要应用。近年来，在GaSb衬底上还制成GaAs／GaSb叠层太阳能电池，其转换效率可达30％以上。