区域匀平法锗单晶(zone 1eveling gemanium single crystal) 

 用水平区熔法生长的锗单晶是一种半导体锗材料。在充氮和氢混合气体的水平区熔炉中，以高频感应加热，在料舟始端的籽晶与多晶料锭处产生一熔区，待掺杂的杂质也加入到这开始的熔区中，然后使熔区以1～2mm／min的速度向料舟的另一端移动，单晶便在籽晶上不断生长。当熔区通过整个料舟后，单晶便生长完毕。由于杂质的分凝效应，加入到开始熔区中的掺杂剂便比较均匀地分布在整个单晶锭上(最末端一个熔区的长度除外)，故称区域匀平法。

  区域匀平法锗单晶为梯形截面，电阻率沿长度分布均匀，产品合格率高。而且设备简单，容易操作，因而成本低。但由于热场不对称，单晶受到料舟的束缚，故晶体的完整性较差。区域匀平法在国外广泛用于生长锗单晶。这种单晶主要用于制造二极管和晶体管。