集成电路用硅单晶(silicon crystal for integrated circuit)  

半导体硅材料的专门品种，其用量最大。集成电路(IC)的类别、集成度、制备工艺对硅材料的制备方法、晶体参数、加工深度有不同的要求(见表1)。可以看出，一般MOS型电路只使用抛光片，但对高集成度的MOS或CMOS，为了消除软失效(soft error)和闩锁效应(latch—up)，多使用重掺衬底的外延片。

在IC生产中，成品率是最重要、最关键的技术经济指标，而硅片的质量对IC的成品率和可靠性起着关键的作用。在这方面起主导作用的因素有杂质、缺陷密度、加工的几何精度、硅片直径等。

杂质   硅片体内的杂质所起的作用不同，例如碳等杂质会造成pn结的软击穿，电活性杂质会影响电压阈值，而氧对IC的影响比较复杂(见表2)

缺陷密度   缺陷包括原生缺陷与二次缺陷，其平均密度(D)与IC成品率(Y)的关系为：Y=e^—DA，其中A为管芯面积，随着IC集成度的提高，A会相应变大，因此为了获得高的成品率必须降低缺陷密度。缺陷的劣化作用是由于在缺陷上容易沉积杂质，造成PN结的击穿、软化或降低电荷存储的时间。

几何精度   硅片表面的几何精度特别是平整度对光刻结果有明显的影响，而随着集成度的提高、器件尺寸的缩小，对平整度要求更加严格。为了解决一方面硅片直径不断增大，另一方面对平整度要求愈来愈严格的矛盾，出现了分步重复投影光刻，它对硅片提出了局部平整度的要求。

硅片直径   决定每个硅片能作的管芯数，硅片直径的增大可降低IC的成本。表3示出了集成电路的发展对硅单晶及抛光片的基本要求。

在实际中，除了上述的基本要求外，生产IC的厂家结合自己的器件工艺还有自己的独特要求。