简并半导体(degenerate semiconductor)  

在重掺杂的半导体中，如果费米能级E，等于或高于导带底E_C(n型)，等于或低于价带顶E_V(p型)时，就称为简并半导体。费米能级在导带或价带边附近称弱简并半导体，费米能级进入能带内称强简并半导体。对掺杂半导体，当掺杂浓度不高时，费米能级位于远离带边的禁带中，随着掺杂浓度增加，费米能级向带边靠近，导带或价带中的载流子浓度也增大，当费米能级接近甚至进入带内时，便成为简并半导体。载流子的有效质量愈小，禁带宽度愈窄，愈容易发生简并，如锑化铟便是一例。在简并半导体中，载流子表现出量子统计性质，必须用费米一笛拉克统计。在重掺杂半导体中，杂质能级变宽为一杂质带，并与主能带交叠，从而使杂质电离能为零，在本征激发以下的温度范围，载流子浓度不随温度变化，磁阻系数很小。禁带宽度也比轻掺材料的要窄。由简并半导体材料可制造隧道二极管，在微波方面有重要的应用。用简并半导体做衬底，生长一层外延层，可制造许多半导体器件。