气相沉积法铌三锡超导带材(superconductive tape of Nb₃Sn by CVD route)

在加热到约1000℃的Hastalloy-B合金基带上，把铌和锡的气态氯化物用氢气还原，沉积出Nb₃Sn超导层，再经覆铜稳定，最后制得的一种层状复合铌三锡超导带材，A-15型化合物超导材料的一种。

60年代初美国无线电公司(RCA)首先采用CVD法制取Nb₃Sn超导带材。该方法是基于下面的化学反应方程

3NbCl₄+SnCl₂+7H₂≒Nb₃Sn+14HICl

美国RCA公司以10～15m/h的基带速度一次制得了近1000m的长带。中国长沙矿冶研究院改进了CVD法制备Nb₃Sn超导带材的技术，使沉积用基带的速率大大提高，达到80～100m/h，并连续生产出长≈3500m的Nb₃Sn超导带材。

为了提高CVD Nb₃Sn带材的性能，还可采用掺杂、改变基带材质、脱气、热处理以及稳定化技术等技术、获得更高超导性能的优良的Nb₃Sn带材。

用CVD法制备的Nb₃Sn带材，其临界温度为16～17K，由12T以上实验数据作J_c^1/2•H^1/4--H曲线线性外推，得其上临界场(H_c2)为20．3T，其临界电流密度与场强的关系曲线示于图。该工艺技术制得的Nb₃Sn超导长带的典型性能，在4.2K和自生场强10T下，千米左右(宽2．5mm、绕成磁体)的临界电流密度J_c(Nb3Sn)和J_{c(复合材料)}分别为(3～5)×10⁵A/cm²和(4～5)×10⁴A／m²。用CVD法Nb₃Sn超导长带绕成内径24mm的磁体，在13T背景场中，产生的中心场强达15.2T(4.2K)。