砷化铟(indium arsenide)

由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为O．6058nm，密度为5．66g／cm³(固态)、5．90g／cm³(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)O．45eV。InAs相图如图所示。

InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有O．033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。

InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10¹⁶／cm³，室温电子迁移率3．3×10⁴cm²／(V•s)，空穴迁移率460cm²／(V•s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10¹⁷／cm3，μ≤2．O×10⁴cm²／(V•s)，EPD≤5×10⁴／cm²。

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μ_e／μ_h=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3．34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。