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创建时间:2008-08-02

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料(Ⅱ-VIcompoundsemiconductormaterial)

由元素周期表中的ⅡA族与ⅥA族构成的化合物半导体材料。它是重要的半导体材料,在重要性与应用方面仅次于11I-V族化合物半导体材料。它们的主要性质见表。

lI-Ⅵ族化合物的主要性质

材料
 
化学式
  熔点
 
  带隙
 
 
  晶型
迁移率/cm2·(V·s)-1
 
  有效质量
 
    热导率
 
 
介电常数
 
 
 /℃
  /eV
 
  电子
  空穴
  me
  mh
/W·(cm·℃)-1
 
  氧化锌
  硫化锌
 
  硒化锌
  碲化锌
 
  硫化镉
 
  硒化镉
  碲化镉
  硫化汞
  硒化汞
  碲化汞
  ZnO
 a—ZnS
 8一ZnS
 ZnSe
 ZnTe
 
 CdS
 
 CdSe
 CdTe
 HgS
 HgSe
 HgTe
>1800
  1830
 
  1515
  1238
 
  1475
 
  1350
  1090
  1450
  800
  670
 3.2(D)
3.8(D)
3.54(D)
2.58(D)
2.28(D)
 
2.41(D)
 
1.74(D)
1.44(D)
2.5(D)
一0.15
一O.15
纤锌矿
纤锌矿
闪锌矿
闪锌矿
闪锌矿
 
纤锌矿
 
纤锌矿
闪锌矿
闪锌矿
闪锌矿
闪锌矿
    180
    140
 
    530
    340
    
    350
 
    500
    1050
 
    20000
 
 
 
 
    28
    110
 
    15
 
 
    80
 
 
 
 0.32
 0.28
 0.39
 0.17
 
 
 0.17
 
 0.13
 0.11
 
 0.031
 0.03
 0.27
>1
 
 0.7
 
 
    5
    
    0.7
    0.35
 
 
    0.45
    0.006
    0.24
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
    0.03
    8.5
    10
 
    9.1
    10.1
 
    10.33
 
    9.7
    10.4
 
    18
 

由于Ⅱ-Ⅵ族化合物的-些物理化学性质,如熔点高、力学性能差,至今难以制成大直径体单晶,许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化188镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hgl-,Cd。Te)等。

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