收藏词条 编辑词条 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料
创建时间:2008-08-02
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料(Ⅱ-VIcompoundsemiconductormaterial)
由元素周期表中的ⅡA族与ⅥA族构成的化合物半导体材料。它是重要的半导体材料,在重要性与应用方面仅次于11I-V族化合物半导体材料。它们的主要性质见表。
lI-Ⅵ族化合物的主要性质
材料 |
|
熔点 |
带隙 |
|
迁移率/cm2·(V·s)-1 |
有效质量 |
热导率 |
|
||
|
|
/℃ |
/eV |
|
电子 |
空穴 |
me |
mh |
/W·(cm·℃)-1 |
|
氧化锌 |
ZnO |
>1800 |
3.2(D) |
纤锌矿 |
180 |
|
0.32 |
0.27 |
0.006 |
8.5 |
由于Ⅱ-Ⅵ族化合物的-些物理化学性质,如熔点高、力学性能差,至今难以制成大直径体单晶,许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化188镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hgl-,Cd。Te)等。