半导体界面(semiconductor interface)  

半导体与其他物质相接触的面。包括半导体一金属、半导体一绝缘介质以及半导体一半导体间接触界面。半导体界面研究在半导体物理学和器件工艺中占据着很重要的地位。半导体一金属接触是最早为人们所研究的界面。德国人肖特基(Schottky)和英国人莫特(Mott)依据金属和半导体电子功函数不同提出，在半导体一金属界面上存在接触势垒，这一理论能够解释半导体一金属间的整流作用，但不能说明不同金属与半导体接触势垒高度几乎相同。美国人巴丁(Bardeen)进一步提出，半导体表面存在高密度表面，它“锁定”了势垒高度，解释了与金属功函数无关。半导体一绝缘介质接触在微电子技术中有广泛应用，SiO₂／Si是典型的半导体一绝缘介质接触。在SiO₂／Si界面存在有：(1)由于硅晶格周期性中断而产生的“快表面态”；(2)由于在界面处过量硅离子而产生的固定正界面电荷密度Q_SS前者可用适当工艺处理降低或消除，而后者则不能从工艺上消除，而且Q_SS大小与半导体结晶方向密切相关。稳定的SiO₂膜和优质的SiO₂／si界面系统使硅成为应用最广泛的半导体材料。两种不同的半导体材料接触，在界面附近形成半导体异质结，界面上仍保持了晶格的连续性，两种半导体晶格常数的差异导致界面上产生大量的界面态(或悬挂键)，它对异质结能带结构和电子输运有很大影响，晶格失配越小，界面态密度越低。异质结在现代半导体器件，尤其在激光器和其他光电器件中具有极重要的应用价值。