辐射探测器用硅单晶(silicon crystal for radiation detector)用于X射线探测器的半导体材料。硅可用于制作结型、面晶型、锂漂移型等多种射线辐射探测器。虽然各种探测器都有自己的特殊要求，但其共同的要求是：碳含量低于2×10¹⁶／cm³；氧含量低于1×lO¹⁶／cm³；深能级杂质如铁、镍等低于10^-10g／g；少子寿命大于500us；对微缺陷的种类与分布要进行控制等。这些单晶均用区熔法制成。为达到高纯的目的，要采用基磷与基硼含量很低的多晶，以硅烷法多晶为主。在成晶前需进行多次真空区熔提纯，提纯过程应避免碳等杂质的污染，并保持真空度不高于10^-4Pa。对n型高阻单晶，现在多采用中子嬗变掺杂法以保证良好的均匀性。材料的适用性常以作出探测器的性能参数作为主要的判据。单晶的需求量不大。