用于合成在熔点有高离解压的化合物半导体材料的装置，为高压单晶炉提供多晶料，已在生产中使用的半导体材料专用设备。图为高压合成炉示意图。高压合成炉实际上是带高压炉室的水平三温区炉。以磷化镓合成为例，磷和装镓的石墨管真空密封在石

英反应器内。1区(温度520～540℃)控制反应管内磷蒸汽压，3区温度(800℃)高于1区以防止磷蒸汽沉积，2区由高频加热线圈和装镓的石墨管组成，在一定温度下(1200～1400℃)磷和镓在此区合成。随着反应器向左移动(3～5cm／h)，GaP多晶锭由左向右生长。密闭反应器外维持一恒定压力(2．0MPa)与反应器内的磷蒸汽压(1．O～2．0MPa)平衡，以避免反应器在合成过程中爆裂。选择精密温度控制仪合理控制各区温度、加工高质量的石英反应器和仔细封口是避免反应器爆裂的关键。每炉多晶合成量1～3kg或更多，合成周期为8～12h。