收藏词条 编辑词条 A一15型化合物超导材料
创建时间：2008-08-02
A一15型化合物超导材料(A一15typeofsu—De÷concluctingcompound)用通式A3B表示的化合物超导材料。A为过渡金属铌、钽、钒等，B为非过渡元素铝、硅、镓、锗、锡等。A与B均可部分的被其他元素所取代，如(Nb、Ti)3Sn、Nbs(Al、Ge)等。
.jpg)
这类化合物，属于体心立方结构(见图)，每个单晶胞有8个原子，属于0i—Pm3m空间群。决定该化合物稳定性的主要因素是原子尺寸，而不是原子和电子的其他参数，形成A一15结构的rA／re应在O．845～1．12之间。A一15型化合物单晶胞A3B超导性能在已发现的常规低温超导体中，三个临界参数都很高的均出于此类化合物(见表)，其中像Nb。Sn、V。Ga，已制备出实用化材料，并得到实际应用。
制取方法这种化合物硬而脆，r般不能用冷热加工的方法制得实用化导体。为了克服其脆性，主要采用两种途径：(1)在柔软基体(如铌、不锈钢带或线)表A-15一些实用性A．15化合物超导材料的超导性能
| 化合物 名称 |
临界温度 T。／K |
上临界磁场 POHc。 |
l}缶界电流密度^ (4．2K)／kA·cm一0 |
||
| (4．2K)／T | 10T | 15T | 20T | ||
| Nb3Sn V3Ga Nb3Ge Nb3AI Nb3(．A1Ge) |
18．3 16．5 23．O 18．9 20．5 |
22 22 30 32 41 |
12 7 40 60 - |
1．7 3．8 13．O 2．5 30 |
6 17 6 190 |
面上用表面扩散法(见扩散法铌三锡超导材料)、化学气相沉积法(见气相沉积法铌三锡超导材料)生成化合物超导层。(2)先加工成带或线，而后进行扩散反应生成超导层(见青铜法铌三锡超导材料)。此外，还有粉末冶金法、原位法、磁控溅射法等，也被用来制备Nb3Sn、v。Ga、Nb。si等化合物的导体或薄膜。
应用由表中看到，：Nb。Ge和Nb。(A1Ge)表现出优异的超导性能，具有很大应用潜力，但因它们属于亚稳态化合物，在形成过程中，其成分和组织结构均难得到恰当的控制，故至今还未实用化。
A一15化合物的缺点是抗辐照和应变能力较差，因此其应用范围受到一定限制。