本征半导体 (intrinsic semiconductor) 

不含任何杂质的、晶格完整的半导体。其导电能力不受任何外来杂质或晶格缺陷影响，只由半导体材料本身的性质决定。在足够低的温度下，它是绝缘体；在较高温度下，由于热激发，其导带中电子数目等于价带中空穴数目。这是一种理想的半导体材料。在实际情况下，当导带中电子数目近似等于价带中空穴数目时，常把杂质含量极低的高纯半导体材料也称为本征半导体。而该数目便称为本征载流子浓度。本征载流子浓度对温度非常敏感，随着温度升高，本征载流子浓度迅速增大，即使室温下是杂质半导体，在高温下由于导带中电子数目近似等于价带中的空穴数目，也呈现本征半导体的特点。在实际应用中，本征锗单晶(要求其剩余杂质浓度低于10¹⁰cm^-3。)可制成高能粒子探测器，在科学研究、地质勘探、医学上有广泛应用。又如用纯度很高的近本征硅晶体制成的硅光探测器，在光学工程上有重要应用。