碲化镉(cadmium  telluride)

由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。

性质主要物理性质见表。

碲化镉的物理性质

碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。

多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10^-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10^-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。

单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。

生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。国际上

           碲化镉单晶生长示意图

1-传动机构；2-石英安瓿；3-多段电阻炉；4-镉源5-碲化镉多晶料；6-生长碲化镉单晶

称晶体断面上少于三个晶粒的晶体为单晶。碲化镉单晶可用于红外电光调制器、红外探测器、}tgC：dTe的衬底材料、红外窗口、常温x射线探测器、太阳能电池以及接近可见光区发光器件等。