收藏词条 编辑词条 B—1型化合物超导材料
B—1型化合物超导材料(B—ltype of saper—conducting compoound)
晶体结构为B1型的化合物超导材料。该超导材料的典型性能列于表。
B—1型化合物超导材料特性
|
B一1型 |
临界温度 |
上I临界磁场 |
临界电流密度 |
|
NbN |
16～17 |
29(//) ～46(⊥) |
1×105(4T) |
20世纪30年代迈斯纳(Meissner)发现Nbc和MoCo80年代起，NbN超导化合物则被当作具有潜在实用前景的超导材料着重加以研究。鉴于NbN的高临界电流密度(Jc)和高的上临界场(Hc2)，并对辐照及应变不敏感以及成膜时衬底温度低等优点，人们一直期待着它能在高场磁体和微电子学上有重要用途。在薄膜制造上已取得显著进展，并已制成NbN—MgO—NbN的约瑟夫逊(Josephon)结器件，付诸应用。另外，以碳纤维作基体材料，采用磁控溅射沉积上Nb膜，再在纯净N：气中热处理生成NbN膜，可以制成NbN超导化合物的多芯线材。