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泡沫镍的应用
泡沫镍的应用 1电池电极材料 泡沫镍主要用于电池电极材料特别用于NiMH电池,这种可充电电池广泛应用于手提电脑、手机、电动踏板车、电动自行车、混合动力汽车。 2燃料电池 熔融碳酸盐燃料电池通常的工作温度...
抛光材料
用于材料抛光的物质,可用于抛光玻璃、金属、皮革、半导体、塑料等。 如玻璃抛光采用氧化铁红、二氧化锡、氧化铝、氧化铈、碳酸钡、白垩、陶土、硅藻土等粉状混合物,与水等配合成悬浮液后使用。 金属和塑料抛...
干料
涂料用干料又称催干剂。能加速漆膜氧化、聚合、干燥的一类有机酸金属皂。可缩短涂料固化成膜时间,增加涂膜强度和耐水性。还有利于颜料的湿润、分散、改善涂料的黏弹性等。其有机酸部分决定金属皂在涂料中的溶解...
半导体晶体生长
半导体晶体生长(crystal growth of semionductor) 生长晶向、组分、杂质、缺陷、几何形状与尺寸都可控制的半导体单晶,包括体单晶与薄膜单晶,是半导体材料制备的主要工序。 生长热力学 分为生长驱动力与成核...
辐射探测器用硅单晶
辐射探测器用硅单晶(silicon crystal for radiation detector)用于X射线探测器的半导体材料。硅可用于制作结型、面晶型、锂漂移型等多种射线辐射探测器。虽然各种探测器都有自己的特殊要求,但其共同的要求是:碳...
半导体超晶格
半导体超晶格(superlattice in semiconductor) 由两种或两种以上组分不同,或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1~10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结构,具有这种结构的材料是一类人工改性的新...
硒化锌
硒化锌(zinc selenide) 由硒和锌构成的Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为ZnSe,分子量为144.33,熔点为1500℃,浅黄色六角型晶体,密度为5.42g/cm3。不溶于水,但溶于盐酸等无机酸中,在空气中加热到一定温...
贮氢材料
贮氢材料(hydrogen storage material) 在一般温和条件下,能反复可逆地(通常在一万次以上)吸入和放出氢的材料。又称贮氢合金或储氢金属问化合物。 某些过渡金属、合金和金属间化合物,由于特殊的晶体结构,使氢...
铌钛超细芯超导材料
铌钛超细芯超导材料(ultra fine filament of Nb-Ti superconducting material) 芯丝直径在0.5μm以下的铌铁系合金超导材料。随着低温超导材料的研制成功,超导材料在工业生产、科学研究、医疗卫生等方面开始...
气相沉积法铌三锡超导带材
气相沉积法铌三锡超导带材(superconductive tape of Nb3Sn by CVD route) 在加热到约1000℃的Hastalloy-B合金基带上,把铌和锡的气态氯化物用氢气还原,沉积出Nb3Sn超导层,再经覆铜稳定,最后制得的一种层状复...
钛材料氧化着色
钛材料氧化着色(oxidation and colouring on titanium material) 通过氧化处理使钛材料得到多种色彩氧化物膜的表面处理技术。是钛材料制备工艺之一。它主要用于钛制品的装饰和防腐。钛材料的氧化方法有:(1)大...
锑化镓
锑化镓(gallium antimonide) 由镓和锑构成的Ⅲ-v族化合物半导体材料。由于它在熔点时离解压小(见表),早在20世纪50年代即可由化学计量熔体中生长出单晶体。 性质 GaSb的主要物理性质如表 单晶生长方法 单晶...
水平单晶炉
水平单晶炉(crystalgrOWthfur~nace) 用于水平区熔法单晶生长和布里支曼法单晶生长的装置,是工业生产砷化镓单晶的半导体材料专用设备。其原理是在低温区保持化合物半导体材料的挥发组分的蒸汽压,在高温区进行...
钛单晶
钛单晶 (titanium single crystal)  由单一的钛原子组成的单晶体。钛单晶在固态下有两种同素异形体:882℃以下为密排六方结构的α-Ti,882℃以上为体心立方结构的β-Ti。当发生α⇔β...
Ⅳ一Ⅳ族化合物半导体材料
Ⅳ一Ⅳ族化合物半导体材料(Ⅳ一Ⅳ compound semiconductor material) 由碳和硅构成的Ⅳ一Ⅳ族惟一的化合物半导体材料。碳化硅常见产品称金刚砂,分子量为40.097。通常用作磨料和耐火材料除存在于亚里桑那(Arizo...
铜和铜合金焊丝
铜和铜合金焊丝(welding wire forcopper and copper alloy) 以铜和铜合金为熔敷金属的焊丝。在中国铜和铜合金焊丝的牌号、化学成分、熔点及用途见表。
半导体异质结
半导体异质结(semiconductor haerojunction) 不同种半导体材料之间的接触都称为半导体异质结。异质结可分为两类:(1)反型异质结。由导电类型相反的两种不同的半导体材料形成。例如p型锗与n型GaAs所形成的异质结...
核反应堆慢化材料
核反应堆慢化材料(nuclear reactor moderator material) 使核裂变反应产生的快中子减速而引入活性区的核反应堆材料。又称核反应堆慢化剂。核反应堆根据所利用的中子能量分成3种类型:快中子堆、中中子堆、慢(热...
半导体表面
半导体表面(semiconductor surface) 半导体表面性质对半导体器件特性有明显影响,有时甚至是表面效应支配器件的特性。例如金属~氧化物一半导体(M0S)器件、电荷耦合器件、表面发光器件等,就是利用半导体表面效...
高温氧化
高温氧化(high temperature oxidation) 在高温下,金属材料与氧反应生成氧化物造成的一种金属腐蚀。广义的高温氧化包括硫化、卤化、氮化、碳化等。 金属高温氧化时,只有生成完整的、致密的、与金属基体附着良...
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